制作及核对日期：2026-09-15。四幅图均为本系列原创教学示意，由 Python + Pillow 绘制。不是实验数据或历史照片。
| 文件 | 内容与依据 | 读图限制 |
|---|---|---|
| ph21-band-filling.png | 现代独立电子近似下的能带与占据 | 低温简化；只画一种金属情形；无统一的半导体带隙分界值 |
| ph21-doping.png | 电离施主、受主及载流子的电荷补偿 | 省略中性背景，假设充分电离；箭头只示可移动性 |
| ph21-transistor.png | 据 CHM 器件说明 抽象出锗、相近金接触与支撑部件；右侧为原创放大器能量关系图 | 非尺寸复原、历史照片或接线图；不冒充馆藏原图 |
| ph21-meissner.png | 正常态、假想理想导体及弱场迈斯纳状态的定性比较 | 先加磁场、再冷却；忽略表面穿透层；不适用于所有 II 型混合态 |
绘制源文件：chapter21_figures.py（代码保留在本地笔记库），使用共享绘图模块 history_illustration.py（代码保留在本地笔记库）。本机采用 Microsoft YaHei 字体，颜色与几何尺寸均为教学选择；无拟合、观测数据或生成式历史照片。
早期器件的实物可另参看 Smithsonian 馆藏复制品。该页明确标注为复制品，本篇未将其当作 1947 年原件照片使用。