前置知识: 电流、电阻、能量与原子的基本结构;能带、空穴与超导会在文中解释。
把一块铜切成两半,两个部分仍然可以导电。继续缩小,直到只剩下一个孤立的铜原子,“这根导线的电阻是多少”便不再是原来的问题。
电阻、硬度、磁性以及超导,涉及大量粒子组成的整体。它们当然服从微观规律,却需要新的描述:粒子怎样排列,哪些量子态已被占据,能量怎样在体系中传递,整体又怎样响应外界。
20 世纪的固体研究沿着这条线,把量子力学带到日常材料中。它既产生了晶体管这样的器件,也遇到超导这样的意外。两者共同提醒我们:理解组成部分,是理解材料的起点。
一、金属中的电子,为什么不能只当成小球?
德鲁德模型提供了有用的第一步
在 1900 年前后,德鲁德(Paul Drude)把金属中的传导电子近似看成一种气体。外电场使电子的平均运动发生变化,散射则不断改变它们的动量。这个图像把电流、碰撞时间和电阻联系起来,也帮助讨论热传导。
这是一种有解释力的简化,却留下了困难。若照搬经典气体的能量分配,电子对金属热容的贡献会与实验不符。模型也不能令人满意地说明,为什么有些晶体是良导体,另一些晶体却几乎不导电。
量子力学建立以后,索末菲(Arnold Sommerfeld)把费米统计用于金属电子;布洛赫(Felix Bloch)研究周期结构中的电子波;随后威尔逊(Alan Wilson)等人的工作推动了半导体理论。1920 年代末到 1930 年代初,相关研究分布在多个研究群体中,远比“一个模型被一个公式替代”更丰富。Hoddeson、Baym 与 Eckert:金属电子理论发展史研究
晶体的规则排列,改变了问题的语言
电子具有波动性质。在理想周期势中,适合描述它的状态可以延展到许多个晶胞,不能只想象成一颗不断撞向每个静止原子的弹珠。
允许的电子能量往往组织成能带,能带之间可能有不允许的能量区间,称为带隙。与此同时,电子是费米子:同一个单电子量子态不能任意塞进许多电子。计算材料响应时,必须同时知道“有哪些状态”和“哪些状态已经被占据”。
这并不意味着真实晶体没有电阻。晶格热振动、杂质、缺陷及其他相互作用,会影响载流子的运动与动量弛豫。理想周期结构与偏离理想结构的过程,在理论中承担不同角色。
二、能带填充怎样区分金属与绝缘体?

可以先比较两个极端。一个能带只被部分填满时,已占据状态附近有可用的空态。施加电场,电子分布可以发生小的改变,从而形成电流。
一个能带完全填满时,情况不同。在简单能带图像中,满带中不同状态的速度贡献相互抵消;仅仅强调“电子仍在运动”,不能推出它们能建立持续的净输运响应。若相邻可用状态隔着较大的带隙,微弱电场和通常温度下的热激发就不容易产生载流子。
半导体的特别之处,是载流子数量能够被温度、光照以及少量掺杂明显改变。这里没有一个适用于所有材料的“带隙超过某个固定数值就必定叫绝缘体”的分界。
也要保留模型的边界:有些材料中,电子之间的相互作用不能只作为微小修正,简单能带填充并不足以判断导电性。能带理论打开了一扇门,后来的凝聚态物理继续研究这扇门后更复杂的世界。
三、少量杂质,怎样成为精确控制的工具?
从“材料不纯”到“掺杂可控”
硅原子之间形成共价键。若引入适当的施主杂质,例如取代部分硅原子的磷,在适合的温度和掺杂条件下,较容易提供导带电子;若引入适当的受主杂质,例如硼,就可能在价带留下能够参与输运的空穴。
空穴不是从原子核跑出来的一颗正粒子。它描述接近填满的价带中缺少电子所形成的有效自由度:周围电子依次改变占据,缺额便表现得像一个带正电的载流子在移动。

“n 型”指通常由电子承担主要输运,“p 型”指通常由空穴承担主要输运。它们不表示整块材料分别积累了大量净负电荷或净正电荷。移动载流子的电荷,通常由固定的电离杂质电荷补偿;结区的局部空间电荷则是另一个需要分析的问题。
在低电场、局部均匀等近似下,电导率可以写成:
\[\sigma=e(n\mu_e+p\mu_h).\]
其中 \(n\)、\(p\) 是电子与空穴的数密度,\(\mu_e\)、\(\mu_h\) 是相应迁移率,\(e\) 是元电荷的大小。这个现代教学公式揭示了两个不同问题:有多少载流子,以及它们对外场响应得有多容易。
假定只有电子的贡献重要,且迁移率保持不变,载流子数密度增为十倍,电导率也增为十倍。对长度和截面积不变的均匀样品,由 \(R=L/(\sigma A)\),电阻变为十分之一。真实掺杂也会改变散射与迁移率,所以不能把这个比例当成任意样品的实验规律。
晶体管让“控制”成为器件功能
1947 年,贝尔实验室的巴丁(John Bardeen)与布拉顿(Walter Brattain),在肖克利(William Shockley)领导的研究工作中实现点接触晶体管。早期装置用两个相近的金属接触点接触锗,一处输入的变化能够影响另一处电流。CHM:晶体管的发明

巴丁与布拉顿在 1948 年发表了相关论文。肖克利随后发展结型晶体管的思路,后续实验与制造又推动它成为实际器件。早期点接触装置与后来结型器件相连,却不能在讲述中直接当成同一个结构。Bardeen 与 Brattain,1948
放大并不违反能量守恒。较小的输入变化控制较大的输出变化,输出的能量来自电源。把半导体只理解成“导电能力处在金属与绝缘体中间”,便看不出这种主动控制为什么重要。
器件可靠工作还依赖材料和表面。阿塔拉(Mohamed Atalla)与姜大元(Dawon Kahng)在 1959 年制成工作的 MOS 晶体管,并于 1960 年展示相关成果;此前对硅表面氧化层和界面性质的研究,是这条路线的重要条件。CHM:MOS 晶体管与表面处理
量子理论解释可能发生什么,材料纯度、界面处理和加工技术则决定能否重复做到。实验、理论和工程在这里彼此推动。
四、1911 年:电阻突然消失了
极低温实验打开了新的区域
昂内斯(Heike Kamerlingh Onnes)及其莱顿实验室发展低温技术,把金属送到此前难以进入的温度区域。问题看似直接:越冷,热运动越弱,金属电阻是否会不断平滑下降?
1911 年,他们在汞的实验中发现,温度降到约 \(4.2\ \mathrm K\) 附近,电阻发生急剧下降,进入一种新状态。昂内斯后来在诺贝尔演讲中回顾了这个转变。Onnes 诺贝尔演讲
实验说“电阻为零”时,需要理解测量语言:仪器有灵敏度和分辨率,实际报告首先意味着电阻小到低于相应检测限。超导作为物态的建立,还依赖持续电流、热力学变化和磁响应等彼此支持的证据,不能由某一次电压读数独自承担。
普通金属降温时电阻降低,和进入超导态,是两个不同的层次。前者可以涉及散射减弱,后者具有临界温度和新的整体性质。也不是每一种金属只要足够冷,就必定按同一方式成为超导体。
迈斯纳效应带来更严格的问题
1933 年,迈斯纳(Walther Meissner)与奥克森费尔德(Robert Ochsenfeld)研究进入超导态时的磁场变化,发现了后来称为迈斯纳效应的现象。Meissner 与 Ochsenfeld,1933
考虑一个明确的操作顺序:先让正常态样品处于磁场中,再保持外场并降低温度。如果只假定电阻突然变成零,原来已经存在的磁通可以被冻结在样品中;“此后不允许磁通改变”并不等于“原有磁通必须被排出”。
进入适当弱场下的迈斯纳状态时,超导样品却会建立相应的屏蔽电流,使体内磁场被排出到表面附近。这表明超导需要作为具有特定平衡磁响应的物态来描述。

这一图像也有条件。磁场太强或电流太大可以破坏超导;II 型超导体在一定场强范围内还能以涡旋形式容纳磁通。不能拿一张理想排磁图概括所有超导材料在所有磁场下的行为。
五、BCS 理论:许多电子共同选择另一种状态
两个电子为什么可能出现有效吸引?
1957 年,巴丁、库珀(Leon Cooper)和施里弗(John Schrieffer)提出了后来简称 BCS 的微观理论。Bardeen、Cooper 与 Schrieffer:Theory of Superconductivity
电子之间有库仑排斥。可在材料中,电子不只与彼此作用,也与晶格作用。电子引起的晶格响应会影响其他电子;在适当的能量、时间尺度和材料条件下,电子与声子的相互作用能产生有效吸引,使形成配对关联在能量上变得有利。
“有效吸引”没有把电子的负电荷改成正电荷,也没有宣布库仑力失效。它是在考虑了材料内部其他自由度以后,对电子间净效应的一种描述。
库珀对也不宜画成两颗紧紧粘住、彼此隔绝的小球。常规超导体中的配对关联可以跨越许多晶胞,并与其他配对广泛重叠。关键在于大量电子共同形成有相位关联的量子态,而不是各自组成一群互不相关的二原子分子。
解释要同时面对几种实验
BCS 理论的重要性,不只是给“零电阻”配上一个形象比喻。它把超导态的能量降低、激发能隙、热容变化与磁场穿透等联系起来,也解释了若干常规超导体中晶格质量与临界温度的关联。
能隙意味着某些激发需要付出最低能量代价。它有助于理解超导态为何能对小扰动保持稳定,却不能缩写成“电子以后绝不与任何东西碰撞”。有限温度、边界、缺陷、涡旋运动以及超过临界条件时的耗散,仍然需要分析。
这些解释也不是对所有超导材料的统一结案。建立一个成功的机制以后,研究者仍要判断新的材料是否满足它的条件。
六、高温超导:新材料再次改变问题
1986 年,贝德诺尔茨(Johannes Bednorz)和米勒(Karl Müller)在钡—镧—铜—氧材料中报告了异常电阻下降,温度进入此前很不寻常的约 \(30\ \mathrm K\) 范围。论文题目谨慎地使用了“可能的高临界温度超导”。IBM:1986 年原始论文记录
这个措辞很有教学意义。最初样品含有不同物相,还需要弄清究竟哪个成分承担超导,并补充磁性证据。两位研究者在后来的演讲中回顾了从电阻线索到物相识别、磁响应确认的过程。Bednorz 与 Müller 诺贝尔演讲
1987 年,吴茂昆、朱经武及合作者在钇—钡—铜—氧体系中报告约 \(90\ \mathrm K\) 的超导转变,并结合电阻和磁测量。临界温度越过常压液氮约 \(77\ \mathrm K\) 的沸点,使冷却条件发生了实际变化。Wu 等,1987
这里的“高温”是相对早期超导材料而言,远不是日常室温。新材料也不会自动成为好用的导线:脆性、晶界、载流能力、磁场中的行为以及制造成本,都会影响用途。
从这段历史看,材料研究没有沿着“杂质越少越好”一条路前进。有时要去除不受控杂质,有时要精确加入元素,有时还要调整晶体结构和氧含量。要控制的是组成与结构,而不是把“纯”和“杂”简单对应成“好”和“坏”。
凝聚态物理因此形成一种鲜明的研究习惯:既追问微观机制,也寻找整体能够表现出的新状态。许多粒子在一起,问题就有了新的尺度。
七、把本篇放回时间线
| 时间 | 历史节点 | 新问题与新能力 |
|---|---|---|
| 1900 年前后 | 德鲁德的金属电子模型 | 将电流与电子运动、散射联系起来 |
| 1911 | 莱顿实验室发现汞的超导转变 | 极低温出现新的物态 |
| 1920 年代末—1930 年代初 | 量子统计、周期势与能带理论发展 | 载流能力与量子态的占据相联系 |
| 1933 | 迈斯纳与奥克森费尔德的研究 | 排磁表明超导不只是理想导电 |
| 1947—1948 | 点接触晶体管实现并发表 | 半导体成为主动控制电流的器件 |
| 1957 | BCS 理论提出 | 配对与集体量子态解释常规超导 |
| 1959—1960 | 工作 MOS 晶体管制成并展示 | 表面与界面控制支持新的器件路线 |
| 1986—1987 | 铜氧化物高温超导突破 | 材料范围、冷却条件与理论问题扩大 |
八、读后思考
- 为什么“含有很多电子”不足以说明一块材料是良导体?
- n 型半导体是否意味着整块材料带负电?空穴是否是一颗质子?
- 若电子浓度增加十倍,电阻是否一定降为十分之一?
- 先加磁场再冷却时,为什么零电阻本身不能推出迈斯纳效应?
- 早期高温超导论文为什么强调“可能”?还需要补充哪些证据?
参考提示
- 还要知道能带结构、占据、附近可用空态以及散射与相互作用。
- n 型描述主要载流子;电离杂质通常补偿其电荷。空穴是价带缺额的有效描述。
- 只有几何不变、电子贡献占主导且迁移率等条件保持不变时,才有这个比例。
- 理想导体可以保留先前磁通;迈斯纳态还要求特定的平衡磁响应。
- 要排查接触和测量问题,辨认物相,并用磁响应等独立性质检验超导解释。
继续学习可连接 经典与量子自由电子模型、周期势中的电子、金属、绝缘体与半导体、半导体载流子、晶体管与集成器件、超导。
参考来源与图片说明
核对日期:2026-09-15。 历史节点参考原始论文、研究者演讲、机构档案及物理史研究。能带、掺杂和输运公式采用现代教学语言,不把它们当作早期研究者已经掌握的完整解释。
| 来源 | 本篇使用范围 |
|---|---|
| Hoddeson、Baym 与 Eckert,1987 | 量子金属理论的发展与多研究群体背景 |
| CHM 晶体管历史;早期器件说明 | 点接触与结型器件的区别、锗和金属接触结构 |
| Bardeen 与 Brattain,1948;CHM MOS 历史 | 器件论文、表面处理和 MOS 路线 |
| Onnes 诺贝尔演讲;Meissner 与 Ochsenfeld,1933 | 汞的低温转变及排磁发现;后者核对发表记录 |
| Bardeen、Cooper 与 Schrieffer,1957 | 有效吸引、配对、能隙及理论解释对象 |
| IBM 原始研究记录;Bednorz 与 Müller 演讲 | 铜氧化物的初始证据、谨慎措辞与物相确认 |
| Wu 等,1987 | 钇—钡—铜—氧体系超过液氮温度的转变与双重测量 |
四幅图均为本系列原创,来源依据、图示限制与可复现代码见 图片说明。
继续阅读的线索: 固体器件让人们控制电子的流动。下一篇把这个方向推进到光与原子:怎样用量子跃迁制造激光,又怎样用光把原子冷却下来?