History of Physics · 21

许多粒子在一起

固体、半导体与超导

前置知识: 电流、电阻、能量与原子的基本结构;能带、空穴与超导会在文中解释。

把一块铜切成两半,两个部分仍然可以导电。继续缩小,直到只剩下一个孤立的铜原子,“这根导线的电阻是多少”便不再是原来的问题。

电阻、硬度、磁性以及超导,涉及大量粒子组成的整体。它们当然服从微观规律,却需要新的描述:粒子怎样排列,哪些量子态已被占据,能量怎样在体系中传递,整体又怎样响应外界。

集体现象不是把一个粒子的性质简单乘以粒子数。
图解 1集体现象不是把一个粒子的性质简单乘以粒子数。

20 世纪的固体研究沿着这条线,把量子力学带到日常材料中。它既产生了晶体管这样的器件,也遇到超导这样的意外。两者共同提醒我们:理解组成部分,是理解材料的起点。

一、金属中的电子,为什么不能只当成小球?

德鲁德模型提供了有用的第一步

在 1900 年前后,德鲁德(Paul Drude)把金属中的传导电子近似看成一种气体。外电场使电子的平均运动发生变化,散射则不断改变它们的动量。这个图像把电流、碰撞时间和电阻联系起来,也帮助讨论热传导。

这是一种有解释力的简化,却留下了困难。若照搬经典气体的能量分配,电子对金属热容的贡献会与实验不符。模型也不能令人满意地说明,为什么有些晶体是良导体,另一些晶体却几乎不导电。

模型的成功与局限都需要说明,不能把金属电子完全当成经典气体。
图解 2模型的成功与局限都需要说明,不能把金属电子完全当成经典气体。

量子力学建立以后,索末菲(Arnold Sommerfeld)把费米统计用于金属电子;布洛赫(Felix Bloch)研究周期结构中的电子波;随后威尔逊(Alan Wilson)等人的工作推动了半导体理论。1920 年代末到 1930 年代初,相关研究分布在多个研究群体中,远比“一个模型被一个公式替代”更丰富。Hoddeson、Baym 与 Eckert:金属电子理论发展史研究

晶体的规则排列,改变了问题的语言

电子具有波动性质。在理想周期势中,适合描述它的状态可以延展到许多个晶胞,不能只想象成一颗不断撞向每个静止原子的弹珠。

允许的电子能量往往组织成能带,能带之间可能有不允许的能量区间,称为带隙。与此同时,电子是费米子:同一个单电子量子态不能任意塞进许多电子。计算材料响应时,必须同时知道“有哪些状态”和“哪些状态已经被占据”。

晶格节点是示意,不表示电子沿图上的线移动。
图解 3晶格节点是示意,不表示电子沿图上的线移动。

这并不意味着真实晶体没有电阻。晶格热振动、杂质、缺陷及其他相互作用,会影响载流子的运动与动量弛豫。理想周期结构与偏离理想结构的过程,在理论中承担不同角色。

二、能带填充怎样区分金属与绝缘体?

原创教学图。金属图只画部分填满能带的常见情形;能带重叠也能产生金属性。半导体和绝缘体图表示低温近似下满价带与空导带,中间的距离示意带隙。它们不是三种具体材料的实测能谱。
图 21-1原创教学图。金属图只画部分填满能带的常见情形;能带重叠也能产生金属性。半导体和绝缘体图表示低温近似下满价带与空导带,中间的距离示意带隙。它们不是三种具体材料的实测能谱。

可以先比较两个极端。一个能带只被部分填满时,已占据状态附近有可用的空态。施加电场,电子分布可以发生小的改变,从而形成电流。

一个能带完全填满时,情况不同。在简单能带图像中,满带中不同状态的速度贡献相互抵消;仅仅强调“电子仍在运动”,不能推出它们能建立持续的净输运响应。若相邻可用状态隔着较大的带隙,微弱电场和通常温度下的热激发就不容易产生载流子。

材料分类不能只数电子总数;能带填充和间隔都重要。
图解 4材料分类不能只数电子总数;能带填充和间隔都重要。

半导体的特别之处,是载流子数量能够被温度、光照以及少量掺杂明显改变。这里没有一个适用于所有材料的“带隙超过某个固定数值就必定叫绝缘体”的分界。

也要保留模型的边界:有些材料中,电子之间的相互作用不能只作为微小修正,简单能带填充并不足以判断导电性。能带理论打开了一扇门,后来的凝聚态物理继续研究这扇门后更复杂的世界。

三、少量杂质,怎样成为精确控制的工具?

从“材料不纯”到“掺杂可控”

硅原子之间形成共价键。若引入适当的施主杂质,例如取代部分硅原子的磷,在适合的温度和掺杂条件下,较容易提供导带电子;若引入适当的受主杂质,例如硼,就可能在价带留下能够参与输运的空穴。

空穴不是从原子核跑出来的一颗正粒子。它描述接近填满的价带中缺少电子所形成的有效自由度:周围电子依次改变占据,缺额便表现得像一个带正电的载流子在移动。

n、p 型材料整体仍可电中性;空穴不是进入晶体的自由质子。
图解 5n、p 型材料整体仍可电中性;空穴不是进入晶体的自由质子。
原创电荷记账图。省略了原有的中性晶格,分别画出固定杂质离子和移动载流子的相对电荷。圆圈不是实际离子或空穴的大小,箭头也不表示没有电场时存在同向电流。
图 21-2原创电荷记账图。省略了原有的中性晶格,分别画出固定杂质离子和移动载流子的相对电荷。圆圈不是实际离子或空穴的大小,箭头也不表示没有电场时存在同向电流。

“n 型”指通常由电子承担主要输运,“p 型”指通常由空穴承担主要输运。它们不表示整块材料分别积累了大量净负电荷或净正电荷。移动载流子的电荷,通常由固定的电离杂质电荷补偿;结区的局部空间电荷则是另一个需要分析的问题。

在低电场、局部均匀等近似下,电导率可以写成:

\[\sigma=e(n\mu_e+p\mu_h).\]

其中 \(n\)、\(p\) 是电子与空穴的数密度,\(\mu_e\)、\(\mu_h\) 是相应迁移率,\(e\) 是元电荷的大小。这个现代教学公式揭示了两个不同问题:有多少载流子,以及它们对外场响应得有多容易。

假定只有电子的贡献重要,且迁移率保持不变,载流子数密度增为十倍,电导率也增为十倍。对长度和截面积不变的均匀样品,由 \(R=L/(\sigma A)\),电阻变为十分之一。真实掺杂也会改变散射与迁移率,所以不能把这个比例当成任意样品的实验规律。

晶体管让“控制”成为器件功能

1947 年,贝尔实验室的巴丁(John Bardeen)与布拉顿(Walter Brattain),在肖克利(William Shockley)领导的研究工作中实现点接触晶体管。早期装置用两个相近的金属接触点接触锗,一处输入的变化能够影响另一处电流。CHM:晶体管的发明

原创结构与功能示意。左侧根据早期器件的锗晶体、相近金接触及支撑部件抽象绘制,省略引线和机械装置;右侧说明放大需要电源。它不是历史照片或可照做的电路图。CHM:早期器件馆藏说明
图 21-3原创结构与功能示意。左侧根据早期器件的锗晶体、相近金接触及支撑部件抽象绘制,省略引线和机械装置;右侧说明放大需要电源。它不是历史照片或可照做的电路图。CHM:早期器件馆藏说明

巴丁与布拉顿在 1948 年发表了相关论文。肖克利随后发展结型晶体管的思路,后续实验与制造又推动它成为实际器件。早期点接触装置与后来结型器件相连,却不能在讲述中直接当成同一个结构。Bardeen 与 Brattain,1948

放大器的输出能量主要来自供电,不是把输入能量凭空放大。
图解 6放大器的输出能量主要来自供电,不是把输入能量凭空放大。

放大并不违反能量守恒。较小的输入变化控制较大的输出变化,输出的能量来自电源。把半导体只理解成“导电能力处在金属与绝缘体中间”,便看不出这种主动控制为什么重要。

器件可靠工作还依赖材料和表面。阿塔拉(Mohamed Atalla)与姜大元(Dawon Kahng)在 1959 年制成工作的 MOS 晶体管,并于 1960 年展示相关成果;此前对硅表面氧化层和界面性质的研究,是这条路线的重要条件。CHM:MOS 晶体管与表面处理

量子理论解释可能发生什么,材料纯度、界面处理和加工技术则决定能否重复做到。实验、理论和工程在这里彼此推动。

四、1911 年:电阻突然消失了

极低温实验打开了新的区域

昂内斯(Heike Kamerlingh Onnes)及其莱顿实验室发展低温技术,把金属送到此前难以进入的温度区域。问题看似直接:越冷,热运动越弱,金属电阻是否会不断平滑下降?

1911 年,他们在汞的实验中发现,温度降到约 \(4.2\ \mathrm K\) 附近,电阻发生急剧下降,进入一种新状态。昂内斯后来在诺贝尔演讲中回顾了这个转变。Onnes 诺贝尔演讲

低温测量打开新区域;原始材料和装置条件是解释的一部分。
图解 7低温测量打开新区域;原始材料和装置条件是解释的一部分。

实验说“电阻为零”时,需要理解测量语言:仪器有灵敏度和分辨率,实际报告首先意味着电阻小到低于相应检测限。超导作为物态的建立,还依赖持续电流、热力学变化和磁响应等彼此支持的证据,不能由某一次电压读数独自承担。

普通金属降温时电阻降低,和进入超导态,是两个不同的层次。前者可以涉及散射减弱,后者具有临界温度和新的整体性质。也不是每一种金属只要足够冷,就必定按同一方式成为超导体。

迈斯纳效应带来更严格的问题

1933 年,迈斯纳(Walther Meissner)与奥克森费尔德(Robert Ochsenfeld)研究进入超导态时的磁场变化,发现了后来称为迈斯纳效应的现象。Meissner 与 Ochsenfeld,1933

考虑一个明确的操作顺序:先让正常态样品处于磁场中,再保持外场并降低温度。如果只假定电阻突然变成零,原来已经存在的磁通可以被冻结在样品中;“此后不允许磁通改变”并不等于“原有磁通必须被排出”。

迈斯纳效应给出比零电阻更严格的状态特征。
图解 8迈斯纳效应给出比零电阻更严格的状态特征。

进入适当弱场下的迈斯纳状态时,超导样品却会建立相应的屏蔽电流,使体内磁场被排出到表面附近。这表明超导需要作为具有特定平衡磁响应的物态来描述。

原创比较图。各图采用相同的先加场、后冷却顺序。右图表示弱场、足够厚的样品处于迈斯纳状态,磁场线只作定性示意;实际表面存在有限的磁场穿透深度。
图 21-4原创比较图。各图采用相同的先加场、后冷却顺序。右图表示弱场、足够厚的样品处于迈斯纳状态,磁场线只作定性示意;实际表面存在有限的磁场穿透深度。

这一图像也有条件。磁场太强或电流太大可以破坏超导;II 型超导体在一定场强范围内还能以涡旋形式容纳磁通。不能拿一张理想排磁图概括所有超导材料在所有磁场下的行为。

五、BCS 理论:许多电子共同选择另一种状态

两个电子为什么可能出现有效吸引?

1957 年,巴丁、库珀(Leon Cooper)和施里弗(John Schrieffer)提出了后来简称 BCS 的微观理论。Bardeen、Cooper 与 Schrieffer:Theory of Superconductivity

电子之间有库仑排斥。可在材料中,电子不只与彼此作用,也与晶格作用。电子引起的晶格响应会影响其他电子;在适当的能量、时间尺度和材料条件下,电子与声子的相互作用能产生有效吸引,使形成配对关联在能量上变得有利。

BCS 的有效吸引不是忽略两个电子的库仑排斥。
图解 9BCS 的有效吸引不是忽略两个电子的库仑排斥。

“有效吸引”没有把电子的负电荷改成正电荷,也没有宣布库仑力失效。它是在考虑了材料内部其他自由度以后,对电子间净效应的一种描述。

库珀对也不宜画成两颗紧紧粘住、彼此隔绝的小球。常规超导体中的配对关联可以跨越许多晶胞,并与其他配对广泛重叠。关键在于大量电子共同形成有相位关联的量子态,而不是各自组成一群互不相关的二原子分子。

解释要同时面对几种实验

BCS 理论的重要性,不只是给“零电阻”配上一个形象比喻。它把超导态的能量降低、激发能隙、热容变化与磁场穿透等联系起来,也解释了若干常规超导体中晶格质量与临界温度的关联。

能隙意味着某些激发需要付出最低能量代价。它有助于理解超导态为何能对小扰动保持稳定,却不能缩写成“电子以后绝不与任何东西碰撞”。有限温度、边界、缺陷、涡旋运动以及超过临界条件时的耗散,仍然需要分析。

这些解释也不是对所有超导材料的统一结案。建立一个成功的机制以后,研究者仍要判断新的材料是否满足它的条件。

六、高温超导:新材料再次改变问题

1986 年,贝德诺尔茨(Johannes Bednorz)和米勒(Karl Müller)在钡—镧—铜—氧材料中报告了异常电阻下降,温度进入此前很不寻常的约 \(30\ \mathrm K\) 范围。论文题目谨慎地使用了“可能的高临界温度超导”。IBM:1986 年原始论文记录

这个措辞很有教学意义。最初样品含有不同物相,还需要弄清究竟哪个成分承担超导,并补充磁性证据。两位研究者在后来的演讲中回顾了从电阻线索到物相识别、磁响应确认的过程。Bednorz 与 Müller 诺贝尔演讲

1986 年最初的约 30 K 结果与后来高温超导发展要按时间区分。
图解 101986 年最初的约 30 K 结果与后来高温超导发展要按时间区分。

1987 年,吴茂昆、朱经武及合作者在钇—钡—铜—氧体系中报告约 \(90\ \mathrm K\) 的超导转变,并结合电阻和磁测量。临界温度越过常压液氮约 \(77\ \mathrm K\) 的沸点,使冷却条件发生了实际变化。Wu 等,1987

这里的“高温”是相对早期超导材料而言,远不是日常室温。新材料也不会自动成为好用的导线:脆性、晶界、载流能力、磁场中的行为以及制造成本,都会影响用途。

从这段历史看,材料研究没有沿着“杂质越少越好”一条路前进。有时要去除不受控杂质,有时要精确加入元素,有时还要调整晶体结构和氧含量。要控制的是组成与结构,而不是把“纯”和“杂”简单对应成“好”和“坏”。

凝聚态物理因此形成一种鲜明的研究习惯:既追问微观机制,也寻找整体能够表现出的新状态。许多粒子在一起,问题就有了新的尺度。

七、把本篇放回时间线

时间 历史节点 新问题与新能力
1900 年前后 德鲁德的金属电子模型 将电流与电子运动、散射联系起来
1911 莱顿实验室发现汞的超导转变 极低温出现新的物态
1920 年代末—1930 年代初 量子统计、周期势与能带理论发展 载流能力与量子态的占据相联系
1933 迈斯纳与奥克森费尔德的研究 排磁表明超导不只是理想导电
1947—1948 点接触晶体管实现并发表 半导体成为主动控制电流的器件
1957 BCS 理论提出 配对与集体量子态解释常规超导
1959—1960 工作 MOS 晶体管制成并展示 表面与界面控制支持新的器件路线
1986—1987 铜氧化物高温超导突破 材料范围、冷却条件与理论问题扩大

八、读后思考

  1. 为什么“含有很多电子”不足以说明一块材料是良导体?
  2. n 型半导体是否意味着整块材料带负电?空穴是否是一颗质子?
  3. 若电子浓度增加十倍,电阻是否一定降为十分之一?
  4. 先加磁场再冷却时,为什么零电阻本身不能推出迈斯纳效应?
  5. 早期高温超导论文为什么强调“可能”?还需要补充哪些证据?
参考提示
  1. 还要知道能带结构、占据、附近可用空态以及散射与相互作用。
  2. n 型描述主要载流子;电离杂质通常补偿其电荷。空穴是价带缺额的有效描述。
  3. 只有几何不变、电子贡献占主导且迁移率等条件保持不变时,才有这个比例。
  4. 理想导体可以保留先前磁通;迈斯纳态还要求特定的平衡磁响应。
  5. 要排查接触和测量问题,辨认物相,并用磁响应等独立性质检验超导解释。

继续学习可连接 经典与量子自由电子模型、周期势中的电子、金属、绝缘体与半导体、半导体载流子、晶体管与集成器件、超导。

参考来源与图片说明

核对日期:2026-09-15。 历史节点参考原始论文、研究者演讲、机构档案及物理史研究。能带、掺杂和输运公式采用现代教学语言,不把它们当作早期研究者已经掌握的完整解释。

来源 本篇使用范围
Hoddeson、Baym 与 Eckert,1987 量子金属理论的发展与多研究群体背景
CHM 晶体管历史;早期器件说明 点接触与结型器件的区别、锗和金属接触结构
Bardeen 与 Brattain,1948;CHM MOS 历史 器件论文、表面处理和 MOS 路线
Onnes 诺贝尔演讲;Meissner 与 Ochsenfeld,1933 汞的低温转变及排磁发现;后者核对发表记录
Bardeen、Cooper 与 Schrieffer,1957 有效吸引、配对、能隙及理论解释对象
IBM 原始研究记录;Bednorz 与 Müller 演讲 铜氧化物的初始证据、谨慎措辞与物相确认
Wu 等,1987 钇—钡—铜—氧体系超过液氮温度的转变与双重测量

四幅图均为本系列原创,来源依据、图示限制与可复现代码见 图片说明。


继续阅读的线索: 固体器件让人们控制电子的流动。下一篇把这个方向推进到光与原子:怎样用量子跃迁制造激光,又怎样用光把原子冷却下来?

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